买卖IC网 >> 产品目录 >> SIGC156T60NR2C IGBT 晶体管 IGBT CHIP IN NPT TECHNOLOGY datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIGC156T60NR2C

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 晶体管 IGBT CHIP IN NPT TECHNOLOGY
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述 IGBT 晶体管 IGBT CHIP IN NPT TECHNOLOGY
制造商 Infineon Technologies
配置 Single
集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压 +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
功率耗散
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 Die
封装
相关资料
属性
链接
代理商 SIGC156T60NR2C
SIGC158T120R3
SIGC158T120R3L
SIGC84T120R3LZJ
SIH2131X01-XO
SiH60B-GE3
供应商
公司名
电话
深圳市鹏威尔科技有限公司 13138879988 胡庆伟
深圳市华诺星科技有限公司 18998919871 廖小姐
深圳市昌云科技有限公司 19129948048 贺小姐
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645 吴
  • SIGC156T60NR2C 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价